韩国《首尔经济》1月13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为美国为阻止中国半导体产业崛起，从2019年开始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

报道称，随着全球半导体市场进入复苏，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。SK海力士总裁郭鲁正出席CES展会时表示：“我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。”（环球时报）

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