7月16日消息,中信证券研报指出,以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点,是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游,采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求,预计将成为未来的主流选择,驱动碳化硅衬底需求进一步增长。
文章转载自:界面新闻网 非本站原创
7月16日快讯:中信证券:碳化硅衬底是碳化硅产业链的核心上游,求路过的大神留个言,帮个忙!
7月16日消息,中信证券研报指出,以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点,是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游,采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求,预计将成为未来的主流选择,驱动碳化硅衬底需求进一步增长。
文章转载自:界面新闻网 非本站原创
免责声明:本答案或内容为用户上传,不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。 如遇侵权请及时联系本站删除。